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nmc508m 8英寸铝金属刻蚀机是应用于0.11-0.35um制程集成电路金属互连线刻蚀工艺的干法刻蚀机。
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nmc508c 8英寸硅刻蚀机是应用于0.11-0.35um制程集成电路（多晶硅栅极和浅沟槽隔离等）硅刻蚀工艺的干法刻蚀机。
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nmc612c 12英寸硅刻蚀机是应用于90-40nm制程集成电路浅沟槽隔离刻蚀和多晶硅栅极刻蚀的干法刻蚀设备。
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nmc612d 12英寸硅刻蚀机是应用于先进制程集成电路的干法刻蚀设备，用于finfet，sti和gate刻蚀工艺。
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nmc612m 12英寸氮化钛金属硬掩膜刻蚀机是应用于40-28nm制程集成电路的金属干法刻蚀设备，用于tin，hr，m0c，hk等刻蚀工艺。
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al pad pvd用于其后道金属互联，为芯片中各器件提供电子信号、微连线等作用
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金属硬掩膜pvd系统为后段绝缘介质(low-k)刻蚀提供tin mask，改善刻蚀形貌和cd均匀性。
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应用于集成电路、功率器件、mems等领域的8寸pvd磁控溅射设备
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单片退火系统为集成电路后段制程提供热处理工艺，可去除水气和有机物残留，还原金属自然氧化层。
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应用于先进封装、集成电路、功率器件、mems、led等领域的8寸pvd磁控溅射设备
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广泛应用在高附加价值微电子产业，用于sixny（含低应力）、sio2、poly-si等薄膜淀积，满足多种高端成膜需求。
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theoris 302 / flouris 201 低压化学气相沉积系统是高性能、高产能、低维护成本的专业lpcvd炉管设备。
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esther 200是兼容6/8英寸，可实现常压和减压硅外延工艺的专业设备。
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theoris 302／flouris 201 立式氧化炉是应用广泛、性能优良、产能突出的氧化成膜设备。
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theoris 302／flouris 201 立式退火炉是在中低温条件下，通入惰性气体（n2），优化硅片界面质量的一种设备。
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theoris 302 ／flouris 201 低压化学气相沉积系统是高性能、高产能、低维护成本的专业lpcvd炉管设备。
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theoris 302／flouris 201 立式合金炉是在低温条件下，通入惰性或还原性气体（n2/h2），优化硅片表面的一种设备。
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广泛应用在高附加价值微电子产业，用于sixny（含低应力）、sio2、poly-si等薄膜淀积，满足多种高端成膜需求。
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卧式扩散/氧化系统可满足扩散、干/湿氧氧化、退火、合金等多工艺需求，广泛用于ic、power、pv、mems、led等领域。
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12英寸单片清洗机广泛应用在90nm-28nm 集成电路、先进封装、微机电系统领域。
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12英寸堆叠式单片清洗机采用三层工艺腔室、多层晶圆传输系统、各工艺腔室独立的工艺体系等技术。
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石英舟/管清洗机，可用于12英寸及以下尺寸的扩散、外延等设备的石英舟/管、碳化硅管的清洗。
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全自动槽式清洗机采用模块化设计，可根据客户需求进行工艺扩展。
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药液供给/回收系统为各研究所、高等院校等提供灵活的客户化定制机台，满足客户需求。
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用于对硅片或其他工件表面进行刻蚀或清洗工艺的需求
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cs300系列产品是针对集成电路、半导体照明等行业研制的数字流量测控产品。
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cs200系列是可满足半导体、光伏、真空镀膜高端客户的数字式流量测控产品。
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流量显示仪/积算仪是为测控产品提供工作电源、操作控制等的显示仪表。
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设备满足等离子体增强型原子层沉积工艺要求；可根据客户需求量身定制硬件升级方案。
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设备满足科研院所及大专院校对原子层沉积工艺要求；可根据客户需求量身定制硬件升级方案。