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theoris 302 /flouris 201 立式氧化炉 theoris 302/flouris 201 vertical oxidation furnace
  立式氧化炉(300mm/200mm)是在中高温下通入特定气体(o2/h2/dce),在硅片表面发生氧化反应,生成二氧化硅薄膜的一种设备。生成的二氧化硅薄膜可以作为集成电路器件前道的缓冲介质层、牺牲氧化层和栅氧化层。

  随着集成电路制造工艺要求的提高,特征尺寸不断缩小,对高端集成电路工艺处理设备的需求也越来越强烈。相比较传统炉管设备,立式氧化炉特优势:高效生产性能,高精度温度控制性能,良好成膜均匀性能,先进颗粒控制技术,完整的工厂自动化接口等。北方华创立式氧化炉的出现,打破了长久以来的国外垄断局面,推动了国内半导体事业的蓬勃发展,产生了可观的经济效益。

应用领域:

  28nm及以上的集成电路、先进封装、功率器件


适用工艺:

  干氧氧化、湿氧氧化、dce氧化、氮氧化硅氧化


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