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nmc 508rie

介质刻蚀机

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nmc 508rie 介质刻蚀机
nmc 508rie dielectric etcher
nmc 508rie为电容耦合等离子体干法刻蚀机,适用6/8英寸介质层刻蚀工艺,具有高刻蚀速率和均匀性,工艺类型覆盖前道和后道所有介质刻蚀。该机台为多腔室集群设备,可全自动并行工艺、易维护、性能稳定、产能高、客户拥有成本低。
设备特点
  • 多频ccp模式,工艺窗口大
  • 高刻蚀速率和高刻蚀均匀性
  • 低拥有成本、低运营成本
产品应用
  • 晶圆尺寸
    6/8 英寸兼容
  • 适用材料
    氧化硅、氮化硅、氮氧化硅
  • 适应工艺
    钝化层、硬掩膜、接触孔、导线孔、侧衬、自对准、回刻等刻蚀
  • 适用领域
    集成电路、化合物半导体、功率半导体、科研领域
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