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epee i200

等离子体增强化学气相沉积系统

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epee i200 等离子体增强化学气相沉积系统
epee i200 pecvd system
epee i200系列主要用于6/8英寸氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等薄膜沉积工艺,平台式多反应腔架构,兼容si、sic、gaas等不同衬底材料,广泛应用于集成电路、化合物半导体、功率半导体、半导体照明、硅基微型显示、科研等领域。
设备特点
  • 先进的单腔双片架构,兼具产能和性能优势
  • 高效传输系统,智能软件调度算法
  • 高效远程等离子体清洗系统,良好的颗粒控制
  • 支持气态硅烷和液态正硅酸乙酯两类沉积工艺
产品应用
  • 晶圆尺寸
    6/8英寸兼容
  • 适用材料
    氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、psg、bpsg
  • 适用工艺
    掩膜层沉积、钝化层沉积、绝缘层沉积
  • 适用领域
    集成电路、化合物半导体、功率半导体、led、硅基微显、科研
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