semiconductor
nmc612m 12英寸氮化钛金属硬掩膜刻蚀机 nmc612m 12 inch tin metal hardmask etcher
随着器件尺寸的不断缩小,沟槽的深宽比越来越大,对硬掩膜材料提出了更高的要求。传统的双大马士革工艺所采用的氮化硅或氧化层掩膜,由于和低k介电层之 间的选择比不高,会导致在刻蚀完成后出现低k介电层顶部圆弧状轮廓以及沟槽宽度扩大,导致完成的金属线之间的间距过小,容易发生金属连线之间的桥接漏 电或者金属连线之间的直接击穿。因此,传统掩膜已经无法满足在沟槽刻蚀的同时保护沟槽之间低k介质的要求,为了消除这一问题,引入了tin金属硬掩膜双大 马士革工艺。传统的金属刻蚀机台无法满足tin刻蚀需求,必须要开发出满足tin硬掩膜刻蚀要求的新一代金属刻蚀机。
应用领域:
集成电路领域
适用工艺:
28nm 逻辑制程中tin mhm,hr和m0c结构刻蚀工艺;rram 中al/tin,tan等刻蚀工艺。
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